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三星称5nm工艺芯片制造完全没有问题

发布时间:2020-03-23 11:57:47 阅读: 来源:焊条厂家

就在昨天的ISSCC(InternationalSolidStateCircuitConference)国际固态电路会议上,三星的举动令业界感到惊讶,全球首次展现了10nmFinFET半导体制程。当时业内人士纷纷表示,三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款10nm工艺用于移动平台的处理器。

实际上,作为韩国高科技巨头,三星在半导体制造方面已非常超前,目前唯一三星一家可以正式大规模量产14nmFinFET工艺的移动装备芯片,而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。虽然在芯片领域,三星在业务方面还没有上升到高通或英特尔的高度,但三星的芯片发展可谓神速,迎来的是对统治级竞争对手的直接挑战。

不过,如果你认为三星首秀10nmFinFET工艺制程已够冷艳全场的话,那末三星在ISSCC会议上的主题演讲可能更使人意外。

三星:5nm芯片对我们而言完全没有问题

据三星的发言,该公司还将继续推动至5nm工艺制程,由于他们认为“根本没有困难”,而且进一步微细化也有可能很快实现。

该韩国巨头乃至表示,他们已确认开始3.2nmFinFET工艺的工作,通过所谓的EUV远紫外光刻技术和四次图形暴光技术和独家相干途径,可以实现工艺更细微化。基本上三星的演讲内容非常使人费解,完全没有真正表述究竟使用何种新材料制造这些更小纳米工艺的芯片。英特尔已表示10nm以后的半导体制造会更复杂,再发展下去硅原子的物理极限很难突破,不排除三星的新材料解决方案是砷化銦鎵(IndiumGalliumArsenide,InGaAs)。

让我们回到10nm工艺,三星称下一代芯片尺寸将更微小,功耗更低。未来此工艺也将应用到DRAM和3DV-NAND芯片上,三星不会放弃任何在移动领域做贮存霸主的机会。三星表示,在2016或2017年之前暂时不会有10nm工艺。也就是说,首款采取14nm芯片的智能手机GalaxyS6,在先进工艺方面的优势可能会保持两年。

固然,我们不排除下下一代旗舰智能手机,也就是GalaxyS7,三星又惊人的为其搭载10nm工艺的处理器。

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